設計電路要找到匹配的晶振相互配合,補充,才能顯出各自的長處,電子工程師初期會篩選晶振供應商,來提供電路需要的晶振型號及相關參數.帝國科技擁有十幾年的豐富經驗,從研發晶振到電路設計已經有相當成熟經驗.那么先從大家用的最多的32.768K石英晶振 ,石英晶振匹配IC,石英晶振的驅動電壓和功率,晶振焊接溫度及振蕩模式相關知識技術給大家分享.
以下有帝國小齊整理收集晶振電路設計知識.
電路設計和晶振的關鍵性參數:
驅動級（DL）,石英晶振|振蕩頻率和負載電容（CL）
石英晶振|振蕩模式,頻率溫度曲線
石英晶振驅動級（DL）
晶體單元的驅動器的運行功率或電流消耗水平（對照電路圖9,10,11）.

石英晶體單元操作的權力過大,這可能會導致晶體芯片的頻率不穩定或物理故障的退化.您的電路設計在絕對最大驅動電平.
石英晶振|振蕩頻率和負載電容（CL）
負載電容（CL）是一個確定的石英晶振|振蕩電路的頻率參數. CL是代表一個有效的等效電容,加載從石英晶振|振蕩電路的晶體單元的兩端(對照電路圖12,13).

石英晶振|振蕩頻率會有所不同,這取決于負載電容
石英晶振|振蕩電路.為了獲得理想的頻率精度,貼片晶振|振蕩電路的負載電容和晶體單元之間的匹配是必需的.為使用的晶體單元,配合晶體單元的負載電容的石英晶振|振蕩電路的負載電容.
振蕩津貼
為了確保穩定的振蕩電路的負電阻應該顯著高于等效串聯電阻較大的（振蕩津貼是大）.確保振蕩津貼,是至少5倍的等效串聯電阻大.
振蕩津貼的評價方法
加入電阻“RX”系列表晶單元,并確保該振蕩啟動或停止.近似的負阻電路是通過增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動或停止后,逐漸使Rx值較大時,得到的值.
負阻 - R的|= RX+復
|-R的是一個至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯電阻（R1的最大值）.大的價值* Re為振蕩過程中的有效電阻值.
RE = R1（1+ CO/ CL的）2

【晶振頻率溫度曲線】

音叉晶體的頻率溫度特性的負二次曲線,其中有一個高峰期在25ºC每左圖所示.
請確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮,因為頻率的幅度變化變得越來越大,溫度范圍變寬.
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A:拋物系數T:給定的溫度,鈦成交額溫度的.晶振的歷史悠久,不要小看一顆小小的晶振,他確蘊藏著無窮的力量,這給新的電子工程師造成了許多困擾,但是你很幸運,如果你對晶振電路設計還不是很熟練,可以參考一下,希望對你有幫助.請繼續關注帝國博客將會給讀者帶來更多晶振知識,本文晶振與電路設計如果匹配本節完.如果有不清楚的地方可在線咨詢QQ或貿易通,感謝關注！

作者：帝國科技

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此文關鍵字：晶振電路設計貼片晶振 32.768K晶振晶振曲線圖

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