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首頁(yè)進(jìn)口晶振NJR晶振NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振

    NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振

  • 規(guī)格型號(hào):61123285
  • 頻率:1~160MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15A以下,編帶...
    NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
    NJR crystal在日本東京都中央?yún)^(qū)成立于1949年,專(zhuān)注于生產(chǎn)的日本NJR晶體,32.768K,溫補(bǔ)晶振等水晶元器件,滿足市場(chǎng)對(duì)NJR晶體的小型化,高的產(chǎn)品質(zhì)量等需求,
    NJR晶振有限公司將以高瞻遠(yuǎn)矚的戰(zhàn)略和創(chuàng)新的高新技術(shù),繼續(xù)為工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域的貢獻(xiàn)小型化抗噪晶振產(chǎn)品,通過(guò)工業(yè)機(jī)器應(yīng)用晶振完成社會(huì)期望和客戶期望方面的重點(diǎn)
    NJR Crystal擁有驗(yàn)豐富的多語(yǔ)種銷(xiāo)售,應(yīng)用支持和工程團(tuán)隊(duì)可指導(dǎo)客戶從設(shè)計(jì)階段到全面生產(chǎn),NJR晶振的產(chǎn)品由各地的航空航天,汽車(chē),通信,計(jì)算,和醫(yī)療行業(yè)的領(lǐng)先位置,并不斷改進(jìn)與創(chuàng)新,秉持超越自我的精神,為社會(huì)做出巨大的貢獻(xiàn),同時(shí)也竭盡所能為社會(huì)創(chuàng)造更加的價(jià)值.
    NJR晶振被稱為新日本無(wú)線, 新日本無(wú)線將保護(hù)環(huán)境、尊重生命為己任,在預(yù)防危害污染和環(huán)境保護(hù)方面做出了相當(dāng)大的努力,并做出了保護(hù)地球、安全至上的承諾。作為企業(yè)活動(dòng)還自主的做出環(huán)境方針,建立全員節(jié)約能源、污染預(yù)防及降低風(fēng)險(xiǎn)的持續(xù)改善工作,以達(dá)到企業(yè)永續(xù)經(jīng)營(yíng)發(fā)展目標(biāo).并且持續(xù)不斷改善環(huán)保方針,生產(chǎn)更多環(huán)保晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體諧振器等優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品.NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振.
Parameter Symbol Parameter values / limits Conditions /  remarks
Nominal frequency F N 1.0 ~ 160MHz Fundamental or 3rd overtone design
Supply voltage range V DD 1.8V / 2.5V /  3.3V More available, please contact us
Supply current consumption I DD 3mA ~ 40mA See note 1
Overall frequency stability ?f/F N ±20ppm, ±25ppm, ±50ppm See note 2, others available
Operating temperature range T OP –10°C ~ +70°C up to –40°C ~+125°C Other options available
Aging first year (Δf/F N )y1 ±3ppm @+25°C
Output waveform /  load — /  C L HCMOS / 15pF or 30pF Most common, others on request
Output voltage levels V OH /  V OL ≥90%V DD /  ≤10%V DD  —
Rise and fall times t R and t F ≤8ns below 16MHz  ≤4ns 40~100MHz @10%~90%~10%V DD , V DD =3.3V
≤5ns 16~40MHz  ≤2ns above 100MHz
Output symmetry (duty cycle)  DC  40/60% or 45/55%  @50%V DD
Standby function
(enable/disable on pin 1)
E/D Pin1 = High or open -> Output pin3 active
Pin1 = Low -> Output pin3 high impedance
·  Output high impedance = TRI-STATE
  Pin1 can be left open = floating
Standby current consumption I STB 10µA Typical

     耐焊性:
      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作. 
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振.

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