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首頁進(jìn)口晶振EPSON晶振,進(jìn)口溫補(bǔ)晶振,TG5032SFN晶振,有源振蕩器

    EPSON晶振,進(jìn)口溫補(bǔ)晶振,TG5032SFN晶振,有源振蕩器

  • 規(guī)格型號:44685110
  • 頻率:10~40MHZ
  • 尺寸:5.0x3.2x1.45mm
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  • 產(chǎn)品描述:溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM?2.0PPM,工作溫度范圍:-30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33....
      愛普生已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識,然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.愛普生加強(qiáng)人力資源的全功能,技術(shù),生產(chǎn),銷售和支持和環(huán)境問題,利用信息技術(shù),推進(jìn)我們的原始制造模式尋求實(shí)現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標(biāo)是使用我們的技術(shù)來創(chuàng)建一個(gè)新的連接人的時(shí)代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會(huì).
     普通石英SMD晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
     晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英環(huán)保晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi).將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號..
晶振參數(shù) 符號 TG5032SFN
標(biāo)準(zhǔn)頻率 fo 10~40MHZ
電源電壓 Vcc +3.3V
存儲溫度 T_stg -40℃~+90℃
工作溫度 T_use -40℃~+85℃
頻率初期公差 F_tol ±1.0×10-6 Max
待機(jī)電流 I_std 2 uA MAX
輸出負(fù)載 L_CMOS 10pF Max
輸出電壓 VOH  Vcc-0.8V Min
VOL 0.4V Max
上升/下降時(shí)間 tr/tf 8 ns Max
啟動(dòng)時(shí)間 T_str 10 ms Max
頻率老化 F_aging ±1.0×10-6 /years Max



機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致溫補(bǔ)晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近音叉振蕩子的地方(在20 mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
電處理
將電源連接到有源環(huán)保晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度.
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源低功耗晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
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