規(guī)格型號：98534615
頻率：1.75M-161MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
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產(chǎn)品描述：有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無...

百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器 產(chǎn)品聚焦于高成長終端用戶設(shè)備市場，晶振例如電視/衛(wèi)星機(jī)頂盒、可攜式 DVD 播放器、數(shù)據(jù)通訊設(shè)備、ADSL 調(diào)制解調(diào)器、電源供應(yīng)器、醫(yī)療裝置 (非維生裝置/系統(tǒng))、個(gè)人計(jì)算機(jī)與筆記本電腦、平面顯示器、數(shù)字相機(jī)、手機(jī)、AC-DC 與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線 802.11 LAN 存取點(diǎn)、無刷直流馬達(dá)風(fēng)扇、序列連接及汽車應(yīng)用。

Double Data Rate (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存是用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存等級。 Diodes 石英晶體振蕩器可為高可用性通訊與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備（包括服務(wù)器、RAID 儲(chǔ)存裝置、工作站與刪除重復(fù)數(shù)據(jù)設(shè)備）以及醫(yī)療裝置與其他嵌入式系統(tǒng)的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件。

石英晶振規(guī)格	單位	HX251 2520mm晶振說明	進(jìn)口振蕩器基本條件
額定頻率范圍	f_nom	1.75M-161MHZ	晶振標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-20°C ～ +70°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
電源電壓	SV	2.5V 1.8V 3.3V
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息.
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10pF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

激勵(lì)功率
在石英晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，石英晶振可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

百利通亞陶晶振集團(tuán)保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進(jìn)行對話.通過在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和全球運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的貼片晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).
百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器我們將依據(jù)技術(shù)進(jìn)步以及對安全、健康和環(huán)境科學(xué)全新的解釋持續(xù)地改進(jìn)我們的業(yè)務(wù).
我們將追求在資源利用上的零廢物率.壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體原材料將得到循環(huán)和再利用以最大限度地減少對其處理量,同時(shí)節(jié)約資源.在廢物的滋生地,廢物將被安全、負(fù)責(zé)地處理掉.

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