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首頁歐美晶振Bliley晶振Bliley晶振,BQCSM晶振,BQCSM-20.000M-FDBBAT晶振

    Bliley晶振,BQCSM晶振,BQCSM-20.000M-FDBBAT晶振

  • 規(guī)格型號:8587781
  • 頻率:10~60MHZ,40~150MHZ
  • 尺寸:3.2*2.5mm
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  • 產(chǎn)品描述:Bliley晶振,BQCSM晶振,BQCSM-20.000M-FDBBAT晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶...
    Bliley晶振,BQCSM晶振,BQCSM-20.000M-FDBBAT晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
    Bliley Technologies Inc. 最初于 1930 年作為 Bliley Piezo-Electric Company 成立。最初,我們?yōu)闃I(yè)余無線電市場制造石英晶體。在 1930 年代中期,我們的客戶和產(chǎn)品很快擴大到與新興的軍事和商業(yè)通信領域的利益相匹配,我們的名稱更名為 Bliley Electric Company。1939 年,我們是最大的水晶公司,擁有 11 名員工。
    第二次世界大戰(zhàn),我們產(chǎn)品的政府合同使我們的銷售額猛增。就業(yè)人數(shù)急劇上升,到 1942 年,Bliley 雇傭了大約 1500 名員工。建造了第二個制造工廠以滿足需求。兩家工廠都夜以繼日地生產(chǎn)水晶來支持我們的部隊。
    二戰(zhàn)后,隨著戰(zhàn)爭的結(jié)束,軍售幾乎完全停止。我們?yōu)槲覀兊氖⒕w尋找新市場和新應用。通信和技術行業(yè)開始快速增長。我們的產(chǎn)量再次上升,以滿足軍隊對水晶的需求。我們將資源轉(zhuǎn)向?qū)W⒂谏虡I(yè)和軍事產(chǎn)品。
    1950 年代和 1960 年代:在這幾十年中,我們進入了許多其他市場,包括晶體振蕩器、溫度補償晶體振蕩器 (TCXO)、空間晶體和晶體爐。我們發(fā)現(xiàn)我們的產(chǎn)品現(xiàn)在被用于所有電子領域。1960 年,JHU/APL 使用的 BG73A @ 3MHz 被放置在 TRANSIT 2A 海軍導航衛(wèi)星的軌道上。
    2010 年代及以后:今天,我們在制造低噪聲頻率控制產(chǎn)品方面處于世界領先地位。我們不斷發(fā)現(xiàn)自己正在努力實現(xiàn)重大改進,以滿足客戶不斷變化的需求。更嚴格的穩(wěn)定性、更低的相位噪聲和加速度靈敏度以及封裝尺寸的減小推動了我們開發(fā)各種新技術。我們相信,我們已做好充分準備迎接挑戰(zhàn),并像我們 80 多年來所做的那樣取得卓越成就。
    Bliley晶振在美國的總部占地面積約64000平方英尺,其中包括了百利晶振公司的辦公室,研發(fā)部,測試部,生產(chǎn)部和車間等重要部門,所有Bliley Crystal產(chǎn)品的工作都在這里進行,包括研發(fā)生產(chǎn)TCXO晶振,有源晶振,石英晶體諧振器等產(chǎn)品.Bliley晶振,BQCSM晶振,BQCSM-20.000M-FDBBAT晶振.
Parameter Conditions Fundamental  3 rd overtone  Unit
Frequency Range   10.0 – 60.0 40-150 MHz
Frequency Tolerance  @ + 25°C  ±50 Max (see options) ppm
Frequency Stability   ±100 Max (see options)  ppm
Aging Max 1 st Year ±3.0 ppm
Equivalent Series Resistance (max) 10.0 – 16.0 MHz 100 Ω
16.0 – 20.0 MHz 80 Ω
20.0 – 29.0 MHz 60 Ω
30.0 – 60.0 MHz 60 Ω
40.0 – 150 MHz 80 Ω
Insulative Resistance Min @ 100Vdc ±15Vdc 500
Drive Level Typical 10 Typ, 100 Max  μW
C0 (Shunt Capacitance) Max (typical) 5.0 pF
CL (Load Capacitance) Per Option (typical) 6-20 (see options) pF
DLD 50nW to 100µW ±10 Max  ppm
RLD 50nW to 100µW 20% Max Ω
Operating Temp Range    -20 to +70 / -40 to +85 °C
Storage Temp Range    -55 to +125 °C
Sealing Method    Seam Weld  
     耐焊性:
      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息.
粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機械振動的影響
當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作. 
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).Bliley晶振,BQCSM晶振,BQCSM-20.000M-FDBBAT晶振.

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