規(guī)格型號：6195434
頻率：10~26MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產品描述：FMI晶振,FMTC5S3晶振,FMTC5S3050JSW/MT-12.000M-CM晶振,溫補晶振(TCXO)產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度...

FMI晶振,FMTC5S3晶振,FMTC5S3050JSW/MT-12.000M-CM晶振,溫補晶振(TCXO)產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
高可靠性-極端溫度晶體,振蕩器和傳感器,適用于極端環(huán)境條件,包括高沖擊和振動,極端溫度和高壓.我們的晶體振蕩器產品提供標準和定制表面貼裝(SMT,SMD)和通孔封裝.

我們的設計,生產和質量流程以及標準是我們所有商業(yè)和高可靠產品中固有的.我們專注于極端環(huán)境解決方案和產品,包括極端溫度石英晶體,振蕩器,VCXO和傳感器用于井下應用,包括石油鉆探,天然氣和石油勘探,地熱和熱液,以及軍事和太空的專業(yè)應用.
此外,FMI目前向各種商業(yè)/工業(yè)細分市場供應產品,包括:計算機外圍設備,工業(yè)儀器儀表,LAN/WAN,光網絡,過程控制,電信和無線產品.我們專注于高質量的壓控溫度補償晶體振蕩器(VCTCXO),壓控晶體振蕩器(VCXO),溫度補償晶體振蕩器(TCXO),晶體時鐘振蕩器(XO)和石英晶體采用表面貼裝和通孔封裝.我們提供晶體和晶體振蕩器產品的定制解決方案,從概念到交付快速周轉.
我們對卓越的承諾不僅體現(xiàn)在我們的頻率控制產品中,而且體現(xiàn)在我們所有客戶的服務水平上.對于高可靠性頻率控制解決方案和無可挑剔的服務,請始終關注頻率管理國際.
FMI-在頻率控制設備的設計和制造方面提供卓越的解決方案,包括封裝石英晶體,晶體時鐘振蕩器(XO),壓控晶體振蕩器(VCXO),
溫度補償晶體振蕩器(TCXO),電壓控制,溫度補償晶體振蕩器(VCTCXO),鎖相源等.我們的極端環(huán)境設備包括-高溫石英晶體,高溫振蕩器,以及用于空間和軍事應用的高溫傳感器和卓越解決方案.FMI晶振,FMTC5S3晶振,FMTC5S3050JSW/MT-12.000M-CM晶振.

Parameter		Clipped Sinewave Specification
Frequency Range		10 - 26.0 MHz
Frequency Adjustment Range		None (Std.); ±3 ppm min. with MT Option
Frequency Stability vs. Temp		See Table; Standard, -30°C to +75°C
Frequency Stability vs. Input V.		±0.5 ppm max.
Frequency Stability vs. Load		±0.3 ppm max.
Frequency Stability vs. Aging		±1 ppm per year max.
Storage Temperature		-40 to +85°C
Supply Voltage (Vdd)		+5.0 Vdc (±0.25 Vdc)
Supply Current (Icc)		20 mA max.
Symmetry (Duty Cycle)		40/60% Std.
Output “0” Level (V OL )		0.4 Vdc max. (TTL) 0.5 Vdc max. (HCMOS)
Output “1” Level (V OH )		2.4 Vdc min. (TTL) 4.5 Vdc min. (HCMOS)
Rise and Fall Time		10 ns max. (5ns typical)
Output Load		10 TTL / 15 pF HCMOS
Jitter (typical)		< 10 pico seconds, one sigma
Phase Noise (typical)		10 Hz -75dBc/Hz 100 Hz -110dBc/Hz 1kHz -125dBc/Hz 10kHz -130dBc/Hz 100kHz -140dBc/Hz
Aging @ 25°C		±1 ppm max first year
All specifications subject to change without notice.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息.

粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）

機械振動的影響

當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質量有影響.盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.

負載電容

有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內容）.FMI晶振,FMTC5S3晶振,FMTC5S3050JSW/MT-12.000M-CM晶振.

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