規(guī)格型號：33272590
頻率：1~160MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
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產(chǎn)品描述：NJR晶振,SCO6晶振,SCO66B-20.0000MTS-EXT晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,...

NJR晶振,SCO6晶振,SCO66B-20.0000MTS-EXT晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛..

新日本無線集團(tuán)創(chuàng)立于1959年，是以模擬半導(dǎo)體為中心從事設(shè)計、開發(fā)、制造、銷售為一體的高新半導(dǎo)體技術(shù)企業(yè)。公司自創(chuàng)立以來，精煉出了獨自的技術(shù)和創(chuàng)造出了特色的產(chǎn)品，一直為世界電子技術(shù)的發(fā)展做出著貢獻(xiàn)。現(xiàn)在，已形成了半導(dǎo)體技術(shù)和微波技術(shù)兩大產(chǎn)業(yè)支柱，這兩種技術(shù)融合而產(chǎn)生的「μ&μ」(Microelectronics & Microwave)旗號是擔(dān)當(dāng)未來新時代的關(guān)鍵多媒體技術(shù)。在產(chǎn)品比例中，半導(dǎo)體占84%，微波占16%，并在不斷開創(chuàng)新的領(lǐng)域
NJR Crystal擁有驗豐富的多語種銷售,應(yīng)用支持和工程團(tuán)隊可指導(dǎo)客戶從設(shè)計階段到全面生產(chǎn),NJR晶振的產(chǎn)品由各地的航空航天,汽車,通信,計算,和醫(yī)療行業(yè)的領(lǐng)先.
NJR晶振一直致力于向市場提供優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品,其中包括石英晶體諧振器,溫補晶振,石英晶體等產(chǎn)品,經(jīng)過幾十以來,用戶對于NJR晶振需求量增大,同時,NNR晶振知名度越來越大,如今已發(fā)展成為大規(guī)模的企業(yè).NJR晶振,SCO6晶振,SCO66B-20.0000MTS-EXT晶振.

Parameter	Symbol	Parameter values / limits	Conditions / remarks
Nominal frequency	F N	1.0 ~ 160MHz	Fundamental or 3rd overtone design
Supply voltage range	V DD	1.8V / 2.5V / 3.3V / 5.0V	More available, please contact us
Supply current consumption	I DD	3mA ~ 40mA	See note 1
Overall frequency stability	Δf/F N	±20ppm, ±25ppm, ±50ppm	See note 2, others available
Operating temperature range	T OP	–10°C ~ +70°C up to –40°C ~+125°C	Other options available
Aging first year	(Δf/F N )y1	±3ppm	@+25°C
Output waveform ? load	— / C L	HCMOS / 15pF or 30pF	Most common, others on request
Output voltage levels	V OH / V OL	≥90%V DD / ≤10%V DD	—
Rise and fall times	t R and t F	≤8ns below 16MHz ≤4ns 40~100MHz	@10%~90%~10%V DD , V DD =3.3V
Rise and fall times	t R and t F	≤5ns 16~40MHz ≤2ns above 100MHz	@10%~90%~10%V DD , V DD =3.3V
Output symmetry (duty cycle)	DC	40/60% or 45/55%	@50%V DD
Standby function (enable/disable on pin 1)	E/D	Pin1 = High or open -> Output pin3 active Pin1 = Low -> Output pin3 high impedance	· Output high impedance = TRI-STATE Pin1 can be left open = floating
Standby current consumption	I STB	10µA	Typical

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機械振動的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.NJR晶振,SCO6晶振,SCO66B-20.0000MTS-EXT晶振.

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