規(guī)格型號(hào)：97345775
頻率：1~80MHz,122.880MHz
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR24.000M晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,...

Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR–24.000M晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

Sunny晶振公司發(fā)展歷史
2020年6月開(kāi)發(fā)出面向 5G 的超低相位噪聲 CMOS XO;開(kāi)發(fā) -40°C 至 150°C 工作 3225 晶體諧振器
2020年11月開(kāi)發(fā)2520、2016熱敏電阻晶體;SX-32、SX-21 的高度可靠的焊點(diǎn)測(cè)試完成

2021年9月最終選定為產(chǎn)業(yè)通商資源部主辦的 AEC-Q200 可靠性利用支持項(xiàng)目
2021年10月最終選定為政府支持的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目開(kāi)發(fā)可在-40℃至+150℃溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的車(chē)輛用高可靠性晶體諧振器；
優(yōu)秀陽(yáng)光電子公司下屬研究所創(chuàng)建了研究人員和實(shí)驗(yàn)室打造具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的基礎(chǔ)上,積極以追求客戶(hù)滿(mǎn)意的最大化進(jìn)行了各種研究.韓國(guó)測(cè)試的全過(guò)程,并持有該國(guó)最大的研究者優(yōu)秀的研究具有滿(mǎn)腔的熱情為高科技發(fā)展的最佳實(shí)驗(yàn)室SUNNY是在世界市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力.
韓國(guó)Sunny晶體公司于1966年創(chuàng)立,次年Sunny晶振公司開(kāi)始生產(chǎn)普通晶體,直到1983年才成功制造出振蕩器產(chǎn)品.主要研發(fā)生產(chǎn)SUNNY晶振,SUNNY有源晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體等頻率元件.采用無(wú)鉛無(wú)害環(huán)保材料生產(chǎn),具有耐高溫,高精度,低損耗,低抖動(dòng)等特點(diǎn).Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR–24.000M晶振.

ITEM	Value	Remarks
Output Logic Type	CMOS	CMOS VCXO
Frequency Range	1.000 to 80.000 MHz, 122.880 MHz	Fundamental
Supply Voltage(V DD )	2.5 V DC , 3.3 V DC , 5.0 V DC ±5 %
Operating Temperature Range	-20 to +70 ℃, -40 to +85 ℃
Storage Temperature Range	-55 to +125 ℃
Frequency Stability	±25ppm, ±30ppm, ±50ppm, ±80ppm, ±100ppm Max	Over operating temperature range
Input Current	10mA Max. 20mA(5V), 15mA(3.3V, 2.5V) Max. 30mA(5V), 25mA(3.3V, 2.5V) Max. 40mA(3.3V)	1.000 to 20.000 MHz 20.001 to 40.000 MHz 40.001 to 80.000 MHz 122.880 MHz
Output Voltage Logic High(V OH)	90 % of V DD Min.
Output Voltage Logic Low(V OL )	10 % of V DD Max.
Rise / Fall Time	10 ns Max.(1.000 to 20.000 MHz) 8 ns Max.(20.001 to 40.000 MHz) 5 ns Max.(40.001 to 80.000 MHz) 2.5 ns Max.(122.880 MHz)	Measured over 10 % to 90 % of waveform
Duty Cycle	45 to 55 %, 40 to 60 %	Measured at 50% of waveform
Start-up Time	10 ms Max.
Output Load Condition(CMOS)	15 pF Max.
Frequency Deviation	±50ppm, ±80ppm, ±100ppm Min.	Over Vc range
Control Voltage(Vc)	2.5 V ±2.0 V, 1.65 V ±1.35 V, 1.25 V ±1.05 V	Please specify
Linearity	10 % Max.
RMS Phase Jitter	1 ps Max.	BW : 12 kHz to 20 MHz
Frequency Aging	±3 ppm Max.	25 ℃, First year

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR–24.000M晶振.

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Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR–24.000M晶振

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